半導體濺射靶材濺射工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一。在電子信息產業的發展過程中，金屬薄膜的制備十分重要。濺射工藝利用離子源產生的離子，在真空中加速聚集成高速離子流，轟擊固體表面，離子和固體表面的原子發生動能交換，使固體表面的原子離開靶材并沉積在基材表面，從而形成納米（或微米）薄膜。被轟擊的固體是濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。靶材質量的好壞對薄膜的性能起著至關重要的決定作用，因此，靶材是濺射過程的關鍵材料。

半導體靶材是晶圓制造重要的原材料， 主要以銅靶、鋁靶、鈦靶和鉭靶等為主。 半導體芯片行業歷經半個世紀，目前仍遵循著“摩爾定律”向前發展。在晶圓制造方面，芯片尺寸不斷減?。壳爸髁?28 納米以下），同時晶圓尺寸不斷增大以進一步降低成本（目前 12 英寸是主流）。在集成電路領域主要應用在晶圓制造和先進封裝過程中。為了滿足半導體芯片高精度、小尺寸的需求，芯片制造對濺射靶材純度要求很高，通常需達 99.9995%（5N5）甚至 99.9999%（6N）以上。

中諾新材是專業的靶材制造商，我們可以提供半導體晶圓制造和先進封裝用的4-12寸各種靶材，純度及用途如下：

另外我公司可根據客戶需求定制生產不同的晶粒晶向的靶材，能夠和客戶一起開發特制的各種類型的靶材。